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FDMQ8205 | GreenBridgeTM 2 系列高效桥式整流器 FDMQ8205 是用于桥式应用的 4-MOSFET GreenBridgeTM2 系列,这样输入电压就不会对耦合在设备上的电源两级敏感。 许多已知的桥式整流器电路都可以使用典型二极管进行配置。 传统的二极管桥有相对较高的功能损耗,这在许多应用中是无法满足需要的。 特别是要求高效桥接的 PoE 动力装置 (PD) 应用,因为它应在 IEEE802.3at 分类为电力供应设备 (PSE) 提供的有限电量的条件下运行。 FDMQ8205 使用低 rDS(on)双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET 进行配置,这样,与传统的二极管桥相比,可以减少由电压下降造成的功率损耗。 FDMQ8 • 低功耗 GreenBridgeTM替代为二极管桥\n• MOSFET 自驱动电路\n• 低 rDS(on) MOSFET\n• 使有效功率和电压最大化\n• 解决热设计问题\n• 符合 IEEE802.3at 标准 - 满足检测和分类需求 - 工作在 2 和 4 对结构下 - 小反馈电压\n• 紧凑的 MLP 4.5x5 包装; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FDMQ8205 | Package:12-WDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) OR 控制器,理想二极管 描述:IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
GreenBridge 2 Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers 文件:338.4 Kbytes 页数:11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
PoE-PD Interface Controller, IEEE 802.3bt 文件:396.96 Kbytes 页数:17 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
PoE-PD Interface Controller, IEEE 802.3bt 文件:444.95 Kbytes 页数:17 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
GreenBridgeTM 2 系列高效桥式整流器 FDMQ8205A 是用于桥式应用的 4-MOSFET GreenBridgeTM2 系列,这样输入电压就不会对耦合在设备上的电源两级敏感。 许多已知的桥式整流器电路都可以使用典型二极管进行配置。 传统的二极管桥有相对较高的功能损耗,这在许多应用中是无法满足需要的。 特别是要求高效桥接的 PoE 动力装置 (PD) 应用,因为它应在 IEEE802.3at 分类为电力供应设备 (PSE) 提供的有限电量的条件下运行。 FDMQ8205A 使用低 rDS(on) 双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET 进行配置,这样,与传统的二极管桥相比,可以减少由电压下降造成的功率损耗。 FD •低功耗 GreenBridgeTM 替代为二极管桥\n• MOSFET 自驱动电路\n•低 rDS(on) 100 V 额定电压 MOSFET\n•使有效功率和电压最大化\n• 解决热设计问题\n•符合 IEEE802.3at 标准 - 满足检测和分类需求 - 工作在 2 和 4 对结构下 - 小反馈电压\n•紧凑的 MLP 4.5x5 包装; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:12-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) OR 控制器,理想二极管 描述:GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号:
FDMQ8205
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > OR 控制器,理想二极管
- 系列:
GreenBridge™
- 包装:
管件
- 类型:
桥式整流器
- FET 类型:
N 和 P 沟道
- 比率 - 输入:
桥(2)
- 内部开关:
是
- 电压 - 供电:
57V(最大)
- 应用:
以太网供电(PoE)
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
12-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
12-MLP(5x4.5)
- 描述:
IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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