Extra-Small, High-Performance, High- Frequency DrMOS Module

文件：1.49334 Mbytes 页数：18 Pages

Fairchild

仙童半导体

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

文件：457.78 Kbytes 页数：18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Extra-Small, High-Performance, High- Frequency DrMOS Module

文件：1.50873 Mbytes 页数：18 Pages

Fairchild

仙童半导体

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

文件：1.0465 Mbytes 页数：20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

文件：762.33 Kbytes 页数：17 Pages

Fairchild

仙童半导体

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6707B将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm PQFN封装中。 通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFET RDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。 XS™ DrMOS采用飞兆的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著地降低了开关振铃噪声，从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲电路。 死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。

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安森美半导体

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6707C将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm PQFN封装中。通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFET RDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。 XS™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。 热报 • ￭ 高于93%的峰值效率￭ 高电流处理能力（50A）￭ 高性能PQFN铜片封装￭ 三态5.0V PWM输入驱动器￭ 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入￭ 过温条件的热报警标志￭ 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）)￭ SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉￭ 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench®技术MOSFET￭ 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™ （集成肖特基二极管）技术￭ 集成式自举肖特基二极管￭ 击穿保护的自适应门驱动定时￭ 欠压闭锁(UVLO)￭ 优化后高达1MHz的开关频率￭ 薄型SMD封装￭ 飞兆绿色封装和ROH;

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安森美半导体

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module

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安森美半导体

Package：40-PowerTFQFN；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：MODULE DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN

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安森美半导体

Package：40-PowerTFQFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：MODULE DRMOS 50A 40-PQFN

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