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FDMD8580	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V，82A，4.6 mΩ 该器件在双通道功率 (5 mm X 6 mm) 封装中包含两个 80V N 沟道 MOSFET。 HS 源极和 LS 漏极可内部进行连接以实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。 • Q1： N沟道最大 rDS(on) = 4.6 mΩ（VGS = 10 V、ID = 16 A）\n•是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择\n•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDU8580	文件：359.43 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm 文件：359.43 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
H8580	文件：144.65 Kbytes Page：1 Pages	Heyco® Nylon Conduit Fittings - Straight-Thru 文件：144.65 Kbytes 页数：1 Pages	Heyco	Heyco
H8580AB	文件：858.54 Kbytes Page：2 Pages	8500 Rocker Switches - Miniature 文件：858.54 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
Q1=Q2= 82.0
PD Max (W)：
59
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
6
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
57
Ciss Typ (pF)：
Q1=Q2=4195
Package Type：
PQFN-8

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深圳市高捷芯城科技有限公司	FDMD8580	onsemi(安森美)	24+	Power-33-8	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FDMD8580供应商更新时间2025-11-4 16:12:00

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