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FDMD8240LET40	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，103A，2.6mΩ 该器件在双通道功率 (3.3 mm X 5 mm) 封装中包括两个 40V N 沟道 MOSFET。高端源极和低端漏极在内部进行连接，用于半桥/全桥、低源极电感封装，低 rDS(on)/Qg FOM 硅器件。 • TJ 额定值扩展至 175°C\n• 最大 rDS(on) = 2.6 mΩ（VGS = 10 V、ID = 23 A）\n• 最大 rDS(on) = 3.95 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 19 A）\n•是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择\n• 100% 经过 UIL 测试\n•开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力\n• 终端无引线且符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33x5-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON
FDMF6823C	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN40	ON 上传：深圳市海天鸿电子科技有限公司	ON
FDMS2572	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMS2672	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-56	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市创博伟业科技有限公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
103
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=3.95
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=2.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
21
Ciss Typ (pF)：
3020
Package Type：
PQFN-12

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMD8240LET40供应商更新时间2025-11-5 9:38:00

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