Dual N-Channel Power Trench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

双 N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，25A，19mΩ

该器件包括两个 100 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。 • 最大 rDS(on)= 19 mΩ（VGS= 10 V、ID=7 A）\n• 最大 rDS(on)= 33 mΩ（VGS= 6 V、ID= 5.5 A）\n• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择\n• 终端无引线且符合 RoHS 标准\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，24A，19.5mΩ

该器件包括两个 100 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。 • 最大 rDS(on)=19.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 7 A时）\n• 最大 rDS(on)=30 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 5.7 A时）\n• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择\n• 终端无引线且符合 RoHS 标准\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力;

ONSEMI

安森美半导体