P 沟道，Power Trench® MOSFET，-150V，-9A，160mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 160 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.4 A 时）\n• 最大 rDS(on) = 185 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2.2 A 时）\n• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m

文件：230.89 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

ON
N/A

ON

上传：深圳市特瑞斯科技有限公司

ON
DFN8

ON

上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司

ON
Power-33x5-8

ON

上传：深圳市金嘉锐电子有限公司