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FDMC8032L

双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V,7A,20mΩ

该器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。封装增强用于出色的热性能。 • 最大值 rDS(on) = 20 mΩ(需 VGS = 10 V,ID = 7 A)\n• 最大值 rDS(on) = 27 mΩ(需 VGS = 4.5 V,ID = 6 A)\n•低电感封装降低升/降时间\n•低开关损耗\n•100% 经过 Rg 测试\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMC8032L

丝印:FDMC8032L;Package:Power33;Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:305.35 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

G8032

UL94V-0 PBT impeller & frame

文件:371.3 Kbytes 页数:1 Pages

MECHATRONICS

G8032E

UL94V-0 PBT impeller & frame

文件:371.3 Kbytes 页数:1 Pages

MECHATRONICS

G8032H

UL94V-0 PBT impeller & frame

文件:371.3 Kbytes 页数:1 Pages

MECHATRONICS

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    7

  • PD Max (W):

    12

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    3.6

  • Ciss Typ (pF):

    513

  • Package Type:

    WDFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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QFN
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更多FDMC8032L供应商 更新时间2025-11-20 18:55:00