| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
FDMC8015L | N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，18A，26mΩ 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10 V且ID = 7 A时，最大rDS(on) = 26 mΩ \n•VGS = 4.5 V且ID = 6A时，最大rDS(on) = 36 mΩ \n•薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FDMC8015L | N-Channel Power Trench짰 MOSFET 40 V, 18 A, 26 m廓 文件：304.05 Kbytes 页数：7 Pages | Fairchild 仙童半导体 | Fairchild | |
(with blowing smoke lock) electronic cigarette IC 文件：185.52 Kbytes 页数：2 Pages | FUMAN 富满微 | FUMAN | ||
LED DIGIT DISPLAY 文件：324.22 Kbytes 页数：4 Pages | FORYARD 复洋 | FORYARD | ||
LED DIGIT DISPLAY 文件：324.22 Kbytes 页数：4 Pages | FORYARD 复洋 | FORYARD |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Halide free：
H
- Status：
Active
- Channel Polarity：
N-Channel
- Configuration：
Single
- V(BR)DSS Min (V)：
40
- VGS Max (V)：
±20
- VGS(th) Max (V)：
3
- ID Max (A)：
18
- PD Max (W)：
24
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
36
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
26
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6.6
- Ciss Typ (pF)：
710
- Package Type：
WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
WDFN83.3x3.3 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-33-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2016+ |
QFN |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
QFN |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
QFN |
13820 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCHI |
BGAQFP |
6688 |
15 |
现货库存 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
FAIRCHI |
14/15+ |
BGAQFP |
850 |
普通 |
询价 |
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更新时间2025-11-22 14:00:00
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