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MS6890MGTR	文件：307.79 Kbytes Page：10 Pages	Mono1.1WPowerAmplifierLowVoltageOperation	MOSAMOSA ELECTRONICS 茂昇电子茂昇电子股份有限公司	MOSA
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NCE6890	文件：382.45 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6890D	文件：326.11 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6890Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=68V,ID=90A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6890K	文件：429.77 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6890Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=68V,ID=90A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
PCM-6890B	文件：372.47 Kbytes Page：1 Pages	IntelPentiumIIIandCeleronProcessors	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
TEF6890H	文件：312.46 Kbytes Page：55 Pages	Carradiointegratedsignalprocessor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
FDMC6890NZ
功能描述：
MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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