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FDMB3800N	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，4.8A，40mΩ; •rDS(on)最大值 = 40 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 4.8 A\n•rDS(on)最大值 = 51 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 4.3 A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力。\n•符合 RoHS 标准\n; 这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDMB3800N	文件：326.7 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMB3800N	文件：320.83 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 4.8A, 40m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMB3800N_0610	文件：320.83 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 4.8A, 40m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMB3800N_12	文件：204.66 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 4.8A, 40m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
4.8
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=51
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=40
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4
Ciss Typ (pF)：
350
Package Type：
WDFN-8

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