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IJ1032DS	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1032EH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1032ES	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1032GH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1032GS	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
ISF1032	文件：579.44 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISP1032E	文件：301.86 Kbytes Page：17 Pages	High-DensityProgrammableLogic	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPLSI1032	文件：236.85 Kbytes Page：16 Pages	In-SystemProgrammableHighDensityPLD Description TheispLSIandpLSI1032areHigh-DensityProgrammableLogicDevicescontaining192Registers,64UniversalI/Opins,eightDedicatedInputpins,fourDedicatedClockInputpinsandaGlobalRoutingPool(GRP).TheGRPprovidescompleteinterconnectivitybetweenalloftheseelements.	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPLSI1032E	文件：301.88 Kbytes Page：17 Pages	In-SystemProgrammableHighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPLSI1032EA	文件：172.09 Kbytes Page：16 Pages	In-SystemProgrammableHighDensityPLD Description TheispLSI1032EAisaHighDensityProgrammableLogicDevicecontaining192Registers,64UniversalI/Opins,fourDedicatedInputpins,fourDedicatedClockInputpinsandaGlobalRoutingPool(GRP).TheGRPprovidescompleteinterconnectivitybetweenalloftheseelements.Theisp	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice

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详细参数

型号：
FDJ1032C
功能描述：
MOSFET SC75 FLMP COMPLEMENTARY POWER
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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