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FDI3632	文件：267.76 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9m? Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3632	文件：310.36 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3632	文件：325.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3632	文件：45.34 Kbytes Page：1 Pages	VDSLModule	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AW3632	文件：979.81 Kbytes Page：24 Pages	Highefficiency,lowprofile,fixed5Voutputpumppowersupply	AWINICAWINIC 艾为	AWINIC
AW3632DNR	文件：979.81 Kbytes Page：24 Pages	Highefficiency,lowprofile,fixed5Voutputpumppowersupply	AWINICAWINIC 艾为	AWINIC
BA3632K	文件：339.04 Kbytes Page：16 Pages	Pre/poweramplifierfor1.5Vheadphonestereos TheBA3632Kisadual-channelpre/powersystemICdesignedfor1.5Vheadphonestereos.ThereisnoneedforDC/DCconversion,andthesystemcanoperateoffasinglebattery.TheICdrawslowcurrent(ICC=2.6mA)toallowlongsetlife. Features 1)Dualpre-amplifierswithautoreversecompat	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C3632	文件：381.81 Kbytes Page：1 Pages	1700WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •6Ux42TEx226mm •Weight:10kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
DS3632	文件：153.43 Kbytes Page：8 Pages	CMOSDualPeripheralDrivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS3632	文件：403.09 Kbytes Page：10 Pages	CMOSDualPeripheralDrivers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DS3632N	文件：153.43 Kbytes Page：8 Pages	CMOSDualPeripheralDrivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
E3632A	文件：997.49 Kbytes Page：5 Pages	ProgrammableDCPowerSupplies	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
E3632S	文件：74.15 Kbytes Page：1 Pages	2C12SOLIDBCFLEXOASFLEXFireAlarm/LifeSafetyCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
FDB3632	文件：356.17 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB3632	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features ●rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A ●Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FDB3632	文件：267.76 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,80A,9m? Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB3632	文件：310.36 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH3632	文件：310.36 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribute	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH3632	文件：405.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP3632	文件：327.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FDI3632
功能描述：
MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	FDI3632	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-262(I2PAK)	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	FDI3632	FAIRCHILD	23+	TO-262	11000	全新原装	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FDI3632	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	FDI3632	FAIRCHIL	2023+	TO262AA-3P	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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