互补，PowerTrench® MOSFET，30V/-25V

这些双N沟道和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。 • Q1： N沟道 \n• Q2: P-ChannelMax rDS(on) = 1.1Ω at VGS = -4.5V, ID = -0.41AMax rDS(on) = 1.5Ω at VGS = -2.7V, ID = -0.25A\n• 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)<1.5 V)\n• 非常小的封装尺寸SC70-6\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Complementary PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40 V, 14.9 A, 7.0 m廓

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Fairchild

仙童半导体

I2C BUS CONTROLLED SINGLE CHIP TV-RECEIVER

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INTEGRAL

Integral Corp.

High Performance Industry Standard Single-Ended Current Mode PWM Controller

High Performance Industry Standard Single-Ended Current Mode PWM Controller The ISL884xA is a high performance drop-in replacement for the popular 28C4x and 18C4x PWM controllers suitable for a wide range of power conversion applications including boost, flyback, and isolated output configuration

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Intersil