isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=15.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

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ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

文件：1.15818 Mbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm

文件：316.81 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode)

文件：813.49 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 61mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 12A\n•RDS(on) = 64mΩ （典型值）@ VGS = 5V，ID = 12A\n•低栅极电荷（典型值22.2nC)\n•Low Crss （典型值）42pF)\n•快速开关\n•100%经过雪崩测试\n•提高dv/dt能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

BoostPak（N 沟道，PowerTrench® MOSFET + 二极管），100 V，15.3A，75 mΩ

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。 RDS(on) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A\n RDS(on) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A\n 低栅极电荷（典型值 22.2 nC）\n 低 Crss（典型值) 42 pF)\n 快速开关\n 100%经过雪崩测试\n 提高了 dv/dt 性能\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体