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FDU6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDU6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •46A,30VRDS(ON)=10mΩ@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDU6680A	文件：126.83 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GSC6680	文件：280.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
LAKW6680MEL	文件：77.19 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社	nichicon
LGUW6680MELY	文件：72.36 Kbytes Page：5 Pages	Withstanding3000hoursapplicationofratedripplecurrentat105째C.	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社	nichicon
LGUW6680MELY	文件：626.75 Kbytes Page：5 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社	nichicon
LTS-6680E	文件：127.86 Kbytes Page：5 Pages	0.56inch(14.22mm)digitheightsingledigitseven-segmentdisplay.	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
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MAN6680	文件：527.76 Kbytes Page：5 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT

详细参数

型号：
FDD6680A_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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