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FDS6680	文件：238.91 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features ■11.5A,30V.RDS(ON)=0.010W@VGS=10V RDS(ON	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680	文件：408.77 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •Ultra-lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6680A	文件：102.87 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •12.5A,30VRDS(ON)=9.5mΩ@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680A	文件：202.11 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680A	文件：408.77 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •Ultra-lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6680A-NL	文件：1.76729 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=20V,ID=10A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDS6680AS	文件：1.01191 Mbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680AS	文件：551.45 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6680ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6680ASincludesanintegratedSchottkydio	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680AS_NL	文件：551.45 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6680ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6680ASincludesanintegratedSchottkydio	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680S	文件：222.28 Kbytes Page：9 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription TheFDS6680SisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6680SincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDD6680A_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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