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FQD5N50CTM	文件：236.28 Kbytes Page：2 Pages	TO252-3L,JEDECOPTIONAA,PACKINGCONFIGURATIONFigure1.0	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FQI5N50	文件：772.48 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features •4.5A,500V,RDS(on)=1.8Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical8.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI5N50C	文件：634.05 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N50	文件：724.45 Kbytes Page：8 Pages	500VNCHANNELMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N50	文件：222.21 Kbytes Page：6 Pages	500V,5AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheFQP5N50&FQPF5N50havebeenfabricatedusing anadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatis designedtodeliverhighlevelsofperformanceand robustnessinpopularAC-DCapplications. ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwith guaranteedavalanchecapabilit	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FQP5N50C	文件：860.85 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N50C	文件：301.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF5N50	文件：762.38 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
FDD5N50UTM_WS
功能描述：
MOSFET UniFET 500V 3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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