FDC658AP

Single P-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET -30V, -4A, 50mOhm

GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildsadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ■MaxrDS(on)=50m@VGS=-10V,ID=-4A ■MaxrDS(on)=75m@VGS=-4.5V,ID=-3.4A ■LowGateCh

FDC658AP

单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。; •VGS = -10 V，ID = -4A时，最大rDS(on) = 50mΩ\n•VGS = -4.5 V，ID = -3.4A时，最大rDS(on) = 75mΩ\n•低栅极电荷 \n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•符合RoHS标准\n;

FDC658P

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedf

FDC658P

单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合笔记本电脑应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。; •-4A，-30V。 VGS = -10 V时，RDS(ON) = 0.050 Ω；VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.075 Ω\n•低栅极电荷（典型值8nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。\n•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）\n;

FDC658AP

P-Channel MOSFET

FDC658AP

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET