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655	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
655H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ALC655	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
ALC655-LF	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
AT655	文件：44.29 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto2800V Meanon-statecurrent1545A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
C655	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CEB655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEF655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEI655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CM655	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CNS655-MU	文件：1.41675 Mbytes Page：8 Pages	TypeBFready	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技	ARTESYN
CNS655-MU	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技	ARTESYN
CSD655	文件：59.14 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR	CDIL CDIL	CDIL

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDC655BNMOS供应商更新时间2024-6-5 14:02:00

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