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FDC6333C	文件：98.45 Kbytes Page：8 Pages	30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs GeneralDescription TheseN&P-ChannelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ·Q12.5A,30V.RDS(ON)=95mW@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC6333C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V; •Q1 2.5 A, 30V\n•RDS(on) = 95 mΩ@ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•Q2 –2.0 A, 30V。\n•RDS(on) = 150 mΩ@ VGS = -10 V\n•RDS(on) = 220 mΩ @ VGS = -4.5 V\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•SuperSOT –6封装：小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。\n; 这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能在极小的空间内实现优异的功率耗散，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
GS6333	文件：56.64 Kbytes Page：6 Pages	3Pin,Low-Power,PResetCircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HL6333MG	文件：36.44 Kbytes Page：8 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode Description TheHL6333MG/34MGare0.63µmbandAlGaInP10mWlaserdiodeswithamulti-quantumwell(MQW)structure.Theyaresuitableaslightsourcesforlaserlevelers,laserscannersandopticalequipmentformeasurement. Features •Visiblelightoutput:635nmTyp •Opticaloutputpower:	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HL6333MG	文件：95.13 Kbytes Page：4 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode Description TheHL6333MG/34MGare0.63µmbandAlGaInP10mWlaserdiodeswithamulti-quantumwell(MQW)structure. Theyaresuitableaslightsourcesforlaserlevelers,laserscannersandopticalequipmentformeasurement. Features •Visiblelightoutput:λp=635nmTyp •Singlelongitudin	OPNEXT Opnext. Inc.	OPNEXT
ISL6333	文件：1.11517 Mbytes Page：40 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithIntegratedMOSFETDriversandLightLoadEfficiencyEnhancementsforIntelVR11.1Applications TheISL6333three-phasePWMfamilyofcontrolICsprovideaprecisionvoltageregulationsystemforadvancedmicroprocessors.TheintegrationofpowerMOSFETdriversintothecontrollerICmarksadeparturefromtheseparatePWMcontrolleranddriverconfigurationofpreviousmulti-phaseproductf	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6333	文件：1.73067 Mbytes Page：40 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithIntegratedMOSFETDriversandLightLoadEfficiencyEnhancementsforIntelVR11.1Applications	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6333	文件：1.11705 Mbytes Page：40 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithIntegratedMOSFETDriversandLightLoadEfficiencyEnhancementsforIntelVR11.1Applications TheISL6333three-phasePWMfamilyofcontrolICsprovidea precisionvoltageregulationsystemforadvanced microprocessors.TheintegrationofpowerMOSFETdrivers intothecontrollerICmarksadeparturefromtheseparatePWM controlleranddriverconfigurationofpreviousmulti-phase prod	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6333A	文件：1.73067 Mbytes Page：40 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithIntegratedMOSFETDriversandLightLoadEfficiencyEnhancementsforIntelVR11.1Applications	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6333A	文件：1.11517 Mbytes Page：40 Pages	Three-PhaseBuckPWMControllerwithIntegratedMOSFETDriversandLightLoadEfficiencyEnhancementsforIntelVR11.1Applications TheISL6333three-phasePWMfamilyofcontrolICsprovideaprecisionvoltageregulationsystemforadvancedmicroprocessors.TheintegrationofpowerMOSFETdriversintothecontrollerICmarksadeparturefromtheseparatePWMcontrolleranddriverconfigurationofpreviousmulti-phaseproductf	Intersil Intersil Corporation	Intersil

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±25
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
N
PD Max (W)：
0.96
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.1
Ciss Typ (pF)：
185
Package Type：
TSOT-23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDC6333供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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