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FST6310L	文件：147.37 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE60A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
FST6310M	文件：552.16 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
FST6310M	文件：146.44 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE60A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
FST6310SL	文件：145.08 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE60A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
FST6310SM	文件：144.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE60A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
GENE-6310	文件：662.24 Kbytes Page：1 Pages	OnboardVIAC3??LowPowerProcessor	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
GENE-6310B	文件：662.24 Kbytes Page：1 Pages	OnboardVIAC3??LowPowerProcessor	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
HM6310	文件：499.89 Kbytes Page：6 Pages	3W,0.85VStartupVoltage,SynchronousStep-UpConverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMIGTO6310	文件：140.54 Kbytes Page：8 Pages	advancedtouchscreenpanel800x600pixelsSVGA-12.1TFT-96MB	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO6310FC	文件：63.8 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,12.1ColorTouchSVGATFT,coateddisplay	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

详细参数

型号：
FDC6310P_Q
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FDC6310PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT163	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳庞田科技有限公司	FDC6310PMOS(场效应管)	ON/安森美	2023+	SOT23-6	50000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	FDC6310PMOS(场效应管)	ON/安森美	23+	SOT23-6	5250	代理货源价格优势	询价
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深圳市科芯源微电子有限公司	FDC6310PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT-23-6	54558	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
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更多FDC6310P_Q供应商更新时间2025-5-14 11:00:00

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