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FDC6301N-TP	文件：870.8 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDG6301N	文件：226.61 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel,DigitalFET GeneralDescription ThesedualN-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesignedespeci	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDG6301N	文件：351.8 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel,DigitalFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDG6301N	文件：1.08153 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=25V ●ID=220mA(VGS=4.5V) ●RDS(ON)6kVHumanBodyModel).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
GPV-6301	文件：59.24 Kbytes Page：4 Pages	TriggeredVacuumGaps TheTriggeredVacuumSparkGapsareidealhigh-voltageswitchesforapplicationswhereawideoperatingvoltagerangeisdesired.ThelowendoftheoperatingvoltagerangeisindependentoftheStaticBreakdownVoltage(SBV).Operatingrangesfrom300voltsto80kilovoltsarepossible.Switching	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
GT6301K	文件：278.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GT6301K	文件：282.17 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GTT6301K	文件：281.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTT6301K	文件：285.75 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
HIP6301	文件：191.87 Kbytes Page：16 Pages	MicroprocessorCOREVoltageRegulatorMulti-PhaseBuckPWMController TheHIP6301multi-phasePWMcontrolICtogetherwithitscompaniongatedrivers,theHIP6601B,HIP6602B,HIP6603BorHIP6604BandexternalMOSFETsprovidesaprecisionvoltageregulationsystemforadvancedmicroprocessors. Features •Multi-PhasePowerConversion •PrecisionChannelCurrentS	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
FDC6301N_Q
功能描述：
MOSFET SSOT-6 N-CH 25V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDC6301N_Q供应商更新时间2025-5-14 9:22:00

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