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FDBL86210_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	150 V、169 A、5 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®; •典型值 rDS(on)=5 mΩ，条件是 VGS=10 V、ID=80 A\n•典型值 Qg(tot)=70 nC，条件是 VGS=10 V、ID=80 A\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101\n; N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 169A, 6.3mΩ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDBL86210_F085	文件：372.56 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PCFA86210F	文件：240.08 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,N-Channel150V,6.1m Features •TypicalRDS(on)=4.8matVGS=10V •TypicalQg(tot)=70nCatVGS=10V •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •RoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDBL86210_F085

文件：300 bytes

Page：1 Pages

150 V、169 A、5 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®; •典型值 rDS(on)=5 mΩ，条件是 VGS=10 V、ID=80 A\n•典型值 Qg(tot)=70 nC，条件是 VGS=10 V、ID=80 A\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101\n;

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 169A, 6.3mΩ

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FDBL86210_F085

文件：372.56 Kbytes

Page：6 Pages

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

PCFA86210F

文件：240.08 Kbytes

Page：7 Pages

MOSFET??Power,N-Channel150V,6.1m

Features •TypicalRDS(on)=4.8matVGS=10V •TypicalQg(tot)=70nCatVGS=10V •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •RoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
169
PD Max (W)：
500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
70
Ciss Typ (pF)：
5805
Package Type：
TO-LL 8L

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更多FDBL86210供应商更新时间2025-7-28 14:16:00

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