订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>FDB8860_F085>芯片详情
FDB8860_F085_VBSEMI/微碧半导体_MOSFET 30V N-Ch PowerTrench科芯源微电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FDB8860_F085
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市科芯源微电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
林佳伟
- 手机:
13692203079
- 询价:
- 电话:
13692203079
- 地址:
深圳市福田区华强北街道深坊C座5102
相近型号
- FDB8832CT
- FDB8870_08
- FDB8832_F085
- FDB8870_F085
- FDB8832(UMW)
- FDB8870-F085
- FDB8832
- FDB86569-F085
- FDB8870-NL
- FDB86569_F085
- FDB86566-F085
- FDB8874
- FDB86566_F085
- FDB8874_NL
- FDB86563-F085IC
- FDB8874-NL
- FDB86563-F085
- FDB8875
- FDB86563_F085
- FDB8876
- FDB86563
- FDB8644S
- FDB8876-NL
- FDB86366-F085
- FDB8878
- FDB86366_F085
- FDB8878-NL
- FDB86366
- FDB8880
- FDB8880_NL
- FDB86363-F085
- FDB86363_F085
- FDB8880-NL
- FDB86363
- FDB8880-ON
- FDB86360-F085
- FDB8880TM
- FDB86360_SN00307
- FDB8882
- FDB86360_F085
- FDB8886
- FDB86360
- FDB8896
- FDB8896_08
- FDB86135
- FDB8896_F085
- FDB8896_NL
- FDB86102LZ-VB
- FDB8896CT
- FDB8896-F085