订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
FDB3682_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench得捷芯城商城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FDB3682
- 功能描述:
MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- FDB4030L
- FDB3652
- FDB42AN15A0
- FDB3632-F085
- FDB42AN15AO
- FDB3632
- FDB44N25
- FDB3502
- FDB44N25TM
- FDB34N20L
- FDB52N20
- FDB33N25TM
- FDB52N20TM
- FDB33N25
- FDB5645
- FDB30N06L
- FDB5680
- FDB5690
- FDB28N30TM
- FDB5800
- FDB2710
- FDB6021P
- FDB2670
- FDB2614
- FDB6030BL
- FDB6030L
- FDB2572
- FDB6035
- FDB6035AL
- FDB2570
- FDB6035L
- FDB2552
- FDB603AL
- FDB2532-F085
- FDB6670AL
- FDB2532(FDI2532)
- FDB6670AS
- FDB2532
- FDB24AN06LA0
- FDB6670S
- FDB20N50F
- FDB6676
- FDB20AN06AO
- FDB20AN06A0
- FDB6676S
- FDB1D7N10CL7
- FDB6690S
- FDB19N20CTM
- FDB16AN08A0
- FDB7030