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FDH15N50	文件：344.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDH15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP15N50	文件：331.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HM15N50	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM15N50F	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
I15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
KDB15N50	文件：50.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KF15N50N	文件：69.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=15A •Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MS15N50	文件：426.13 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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