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FDA79N15	文件：346.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 79A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 30mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：346.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDA79N15	文件：846.2 Kbytes Page：8 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：846.2 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA79N15	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP79N15	文件：1.29493 Mbytes Page：10 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：1.29493 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP79N15	文件：391.96 Kbytes Page：10 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：391.96 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP79N15	文件：332.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 79A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.03Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
FDA79N15
功能描述：
MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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