FDA69N25中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
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描述 Description
SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
特性 Features
• 650 V @TJ = 150°C
• Max. RDS(on) = 380 mΩ
• Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)
• Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)
• 100 Avalanche Tested
Applications
• LCD / LED / PDP TV Lighting
• Solar Inverter
• AC-DC Power Supply
产品属性
- 型号：
FDA69N25
- 功能描述：
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
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FAIRCHILD |
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TO-3P |
50000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
61 |
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ON/安森美 |
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TO-3P |
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Fairchild |
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原厂原装正品 |
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询价 |
