FDA24N50规格书原装现货仙童半导体-114ic电子网

首页 >FDA24N50>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
FDA24N50	文件：683.35 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.19廓 Description UniFET™MOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA24N50	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA24N50F	文件：676.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA24N50F	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDA24N50F	文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDA24N50F_12	文件：398.63 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
24N50	文件：163.17 Kbytes Page：6 Pages	24Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC24N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanc	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
24N50	文件：213.36 Kbytes Page：6 Pages	24A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
24N50	文件：49.82 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
24N50H	文件：290.67 Kbytes Page：5 Pages	24A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
FIR24N50ANG	文件：4.72337 Mbytes Page：8 Pages	HighVoltageN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FQA24N50	文件：362.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA24N50	文件：734.41 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA24N50F	文件：620.06 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA24N50F	文件：323.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-3PNpackaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
HMS24N50	文件：1.32256 Mbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HMS24N50A	文件：1.32256 Mbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HMS24N50F	文件：1.32256 Mbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HMS24N50T	文件：1.32256 Mbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
IXFC24N50	文件：322.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

12 3 4 >>>

详细参数

型号：
FDA24N50
功能描述：
MOSFET UniFET 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市跃创芯科技有限公司	FDA24N50	FAIRCHILD	21+	TO-3P	6000	绝对原装正品现货,假一罚十	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDA24N50	onsemi	23+	TO-3PN	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	FDA24N50	FSC	23+	TO-3P	8000	原装正品,假一罚十	询价
标准国际(香港)有限公司	FDA24N50	ONSEMI	2021	NA	12600	全新原装!优势库存热卖中!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FDA24N50	ONSEMI	20+	TO-3P	33710	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳兆威电子有限公司	FDA24N50	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-3P-3L	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市英瑞芯科技有限公司	FDA24N50	ON-SEMI	20+		6000	英瑞芯现货库存	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	FDA24N50		21+	QFN32	21870	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	FDA24N50	FAIRCHILD	22+	TO-3P	6300	绝对原装现货,价格低,欢迎询购!	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	FDA24N50	FAIRCHILD	22+	TO3P	3000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价

更多FDA24N50供应商更新时间2024-4-26 18:04:00

详细参数

相关规格书

相关库存