首页 >FCQ30B10>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SchottkyBarrierDiode | NIEC Nihon Inter Electronics Corporation | NIEC | ||
PowerMOSFET | SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社 | SHINDENGEN | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
SchottkyBarrierDiode | NIEC Nihon Inter Electronics Corporation | NIEC | ||
ScokktyBarrierDiode SBD 30AAvg.100Volts | NIEC Nihon Inter Electronics Corporation | NIEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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