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FCP380N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60	文件：333.18 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET II MOSFET 文件：333.18 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60	文件：653.11 Kbytes Page：10 Pages	FCP380N60 / FCPF380N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓文件：653.11 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60	文件：319.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCP380N60	文件：289.59 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：289.59 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600V，10.2A，380mΩ，TO-220 SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 •650V @TJ = 150°C\n•最大值 RDS(on) = 380mΩ\n•超低栅极电荷（典型值Qg = 30nC )\n•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 95pF ）\n•100% 经过雪崩击穿测试;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCP380N60E	文件：332.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 10.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D 文件：332.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCP380N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60E	文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：302.31 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60_13	文件：333.18 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET II MOSFET 文件：333.18 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
DC
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
10.2
PD Max (W)：
106
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
380
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
30
Ciss Typ (pF)：
1250
Package Type：
TO-220-3

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更多FCP380N60供应商更新时间2025-11-19 20:04:00

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