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FCP380N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：333.18 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET II MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：653.11 Kbytes Page：10 Pages	FCP380N60 / FCPF380N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：319.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP380N60	文件：289.59 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60E	文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60E	文件：332.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP380N60_13	文件：333.18 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET II MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD380N60E	文件：205.55 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelSuperFET짰IIMOSFET600V,10.2A,380m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD380N60E	文件：602.58 Kbytes Page：9 Pages	FCD380N60EN-ChannelSuperFETIIEasy-DriveMOSFET600V,10.2A,380m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD380N60E	文件：353.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCD380N60ECT-ND	文件：602.58 Kbytes Page：9 Pages	FCD380N60EN-ChannelSuperFETIIEasy-DriveMOSFET600V,10.2A,380m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF380N60	文件：289.59 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF380N60	文件：653.11 Kbytes Page：10 Pages	FCP380N60/FCPF380N60N-ChannelSuperFETIIMOSFET600V,10.2A,380m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF380N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FCPF380N60	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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FCPF380N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FCP380N60
功能描述：
MOSFET SuperFET2, 380mohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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