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F640SPHT-PTLZ8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP	SharpMicroelectronics Sharp Microelectronics	SharpMicroelectronics
FDC640P	文件：261.01 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgateversionofFairchild’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–4.5A,–20VRDS(ON)=0.053Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC640P	文件：79.99 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VPowerTrenchSpecifiedMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FM640	文件：99.4 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM640-T	文件：80.61 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FTK640D	文件：433.45 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK640F	文件：433.45 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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GBG640CT	文件：181.98 Kbytes Page：3 Pages	lowvoltage,highfrequencyinverter,	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

产品属性

产品编号：
F640SPHT-PTLZ8
制造商：
Sharp Microelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存
存储容量：
64Mb（4M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
120ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
56-TSOP
描述：
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP

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更多F640S供应商更新时间2025-7-26 10:03:00

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