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LMAK20P04	文件：734.18 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NP20P04SLG	文件：1.33998 Mbytes Page：8 Pages	-40V–-20A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=25mMax.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)=38mMax.(VGS=-4.5V,ID=-10A) Lowinputcapacitance:Ciss=16	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP20P04SLG	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TS20P04G	文件：244.97 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P04G	文件：206.9 Kbytes Page：4 Pages	20A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P04G	文件：50.27 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES -Glasspassivatedjunction -Idealforprintedcircuitboard -TypicalIRlessthan0.1μA -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21defini	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P04G	文件：223.89 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P04G	文件：139.27 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UTT20P04	文件：128.35 Kbytes Page：3 Pages	-40V,-20AP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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更多F20P04Q供应商更新时间2024-5-22 16:30:00

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