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13NM60	文件：509.9 Kbytes Page：9 Pages	13A,600VN-CHANNELSUPER-JUNCTIONMOSFET DESCRIPTION TheUTC13NM60isaSuperJunctionMOSFETStructure andisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceanda highruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis usuallyusedatAC-DCconvertersforpower	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
13NM60N	文件：835.94 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.320廓,10APowerFLAT??(8x8)HVMDmesh??IIPowerMOSFET Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
13NM60N	文件：1.06718 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB13NM60N	文件：1.16058 Mbytes Page：24 Pages	Lowgateinputresistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB13NM60N	文件：289.83 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB13NM60N	文件：1.03996 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB13NM60ND	文件：312.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD13NM60N	文件：300.57 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD13NM60N	文件：1.16058 Mbytes Page：24 Pages	Lowgateinputresistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD13NM60ND	文件：323.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.32typ.,11A,FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inDPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：313.02 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF13NM60N	文件：1.07167 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28ohmtyp.,11AMDmeshIIPowerMOSFETinTO-220FP,I2PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.32typ.,11A,FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inDPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60ND	文件：1.07075 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF13NM60N-H	文件：791.51 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,0.28廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI13NM60N	文件：782.35 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.28廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinI짼PAKFPpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多F13NM60N供应商更新时间2024-4-30 11:36:00

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