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F0480NBGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 400MHZ-2.7GHZ 32QFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
F0480NBGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 400MHZ-2.7GHZ 32QFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HDMP-0480	文件：121.11 Kbytes Page：11 Pages	OctalCellPortBypassCircuitwithoutClockandDataRecovery Description TheHDMP-0480isanOctalCellPortBypassCircuit(PBC).Thisdeviceminimizespartcount,costandjitteraccumulation.PortBypassCircuitsareusedinharddiskarraysconstructedinFibreChannelArbitratedLoop(FC-AL)configurations.ByusingPortBypassCircuits,harddisksma	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
IDTAMB0480	文件：419.92 Kbytes Page：16 Pages	ADVANCEDMEMORYBUFFERFORFULLYBUFFEREDDIMMMODULES FEATURES: •AdvancedMemoryBufferforFullybufferedDIMMs •3.2and4Gbit/sserialspeeds(DDR2-533and667DRAM) •SupportforuptoeightDIMMsperchannel •RepeaterModeforextendingFB-DIMMlinks •NorthboundandSouthboundsinglelanefailoverandchannel errordetection •Voltag	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDTAMB0480	文件：252.2 Kbytes Page：15 Pages	ADVANCEDMEMORYBUFFERFORFULLYBUFFEREDDIMMMODULES	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDTF0480NBGI	文件：2.03924 Mbytes Page：27 Pages	MatchedBroadbandRFVGA	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
MSN0480D	文件：485.89 Kbytes Page：6 Pages	40V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
OTBC-0480-NNC	文件：296.19 Kbytes Page：3 Pages	SingleEmitterBarCodeOpticHead	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
P0480EF	文件：214.1 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PA0480	文件：99.87 Kbytes Page：2 Pages	ShieldedShapedCore-SpyglassCoupledInductors	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

产品属性

产品编号：
F0480NBGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
400MHz ~ 2.7GHz
P1dB：
22.2dBm
增益：
23dB
噪声系数：
4dB
射频类型：
LTE，WiMax
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
电流 - 供电：
117mA
测试频率：
900MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
32-VFQFPN（5x5）
描述：
IC AMP LTE 400MHZ-2.7GHZ 32QFN

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