| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌IGBT |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市芯峰微电子科技有限公司1年
留言
|
InfineonIGBT |
5138 |
22+ |
原装现货、工厂库存 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
|||
|
浙江永芯科技有限公司4年
留言
|
InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌MODULE |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
 |
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)AG-EASY1B-1 |
923 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
500 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
||||
|
深圳市芯峰微电子科技有限公司1年
留言
|
InfineonIGBT |
5138 |
22+ |
原装现货、工厂库存 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
EUPECmodule |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
|||
|
深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
|
infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
Infineon/英飞凌AG-EASY1B-1 |
10000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
|
Infineon/英飞凌AG-EASY1B-1 |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Infineon/英飞凌AG-EASY1B-1 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
FS30R06W1E3采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FS30R06W1E3图片
FS30R06W1E3价格
FS30R06W1E3价格：￥145.3845品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FS30R06W1E3多少钱，想知道FS30R06W1E3价格是多少？参考价：￥145.3845。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FS30R06W1E3批发价格及采购报价，FS30R06W1E3销售排行榜及行情走势，FS30R06W1E3报价。
FS30R06W1E3资讯
FS30R06W1E3
FS30R06W1E3IGBT模块是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
FS30R06W1E3中文资料Alldatasheet PDF
更多FS30R06W1E3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 45A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS30R06W1E3_B11制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 30A 600V
