选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
SOT-23 |
30000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
|
英飞凌模块 |
2000 |
22+ |
原装现货 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
INFIEONMOD |
1800 |
2019+ |
原装正品现货,可开13点税 |
|||
|
深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
EUPEC模块 |
554 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
INF原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
EUPEC模块 |
18 |
23+ |
||||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
INFINEONMODULE |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
|||
|
深圳市百诺芯科技有限公司6年
留言
|
INFIENONMODULE |
1050 |
23+ |
原装正品,价格优势 |
|||
|
深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
|
10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
||||
|
深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
|
INF原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
INFINEONMODULE |
15550 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
|
INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌MODULE |
15000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
|
深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
|
INFINEON/英飞凌MODULES |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
|||
|
深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
|
10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
||||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
FS100R12采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FS100R12图片
FS100R12KT4G价格
FS100R12KT4G价格:¥1046.4335品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FS100R12KT4G多少钱,想知道FS100R12KT4G价格是多少?参考价:¥1046.4335。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FS100R12KT4G批发价格及采购报价,FS100R12KT4G销售排行榜及行情走势,FS100R12KT4G报价。
FS100R12W2T7_B11资讯
FS100R12W2T7BOMA1是一种IGBT模块
FS100R12W2T7BOMA1是一款功能强大、性能稳定的IGBT模块,适用于各种工业控制和电力电子领域的应用。
FS100R12KT4G
FS100R12KT4G,全新原装现货当天发货0755-82732291或门市自取,买模块选赛尔通模块商行。
FS100R12KS4
品牌:EUPEC/欧派克 型号:FS100R12KS4 类型:IGBT 批号:09+ 封装:塑料封 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:膜集成 导电类型:双极型 集成程度:大规模 工作温度:-40~+125(℃) 静态功耗:1(mW) 最大
FS100R12KE3
深圳市旭弈鑫科技有限公司专业经营日本、美国、欧洲及世界各名厂(威克、蓝达、雅达、科索、腾信、爱立信、朗讯、泰克、新电源、三菱、东芝、富士、日立、西门子、西门康、三社、欧派克、艾赛斯、莫托罗拉、英达、三肯、三洋、快达、ABB、PRX、IR、IP、TDK、AT&T、POWER-ONE、AEG、NEC、A
FS100R12KT3
FS100R12KT3全新原装正品大量库存
FS100R12W2T7_B11中文资料Alldatasheet PDF
更多FS100R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KE3_03制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FS100R12KE3_B3功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KS4功能描述:IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KT3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KT3_04制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS100R12KT4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KT4_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KT4G功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS100R12KT4G_B11功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: