选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONMODULE |
6000 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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模块 |
528 |
N/A |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT管 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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英飞凌模块 |
1000 |
19+/20+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
1896 |
23+ |
主营IGBT和配套驱动 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
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INFINEONECONOPIN2 |
1000 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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InfineonModules |
563 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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FP25R12KT图片
FP25R12KT4价格
FP25R12KT4价格:¥433.2428品牌:INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的FP25R12KT4多少钱,想知道FP25R12KT4价格是多少?参考价:¥433.2428。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FP25R12KT4批发价格及采购报价,FP25R12KT4销售排行榜及行情走势,FP25R12KT4报价。
FP25R12KT4资讯
FP25R12KT4 主营英飞凌
做的是诚信,卖的是良心。
FP25R12KT3
FP25R12KT3,全新原装现货当天发货0755-82732291或门市自取,买模块选赛尔通模块商行
FP25R12KT3 全新原装现货
FP25R12KT3深圳市赛尔通科技有限公司全新原装现货
FP25R12KT4中文资料Alldatasheet PDF
更多FP25R12KT3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12KT4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12KT4_B15功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12KT4B15BOSA1制造商:Infineon Technologies AG