| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SSOT-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TSOP6 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TSOP-6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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TSOP-8NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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MOTOROLATSOP-8 |
4885 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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原装MOTTSOP-8 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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原装MOTTSOP-8 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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原装MOTTSOP-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiSOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
8888888 |
21+ |
原装正品现货/订货 价格优惠可开票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
8080 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)SSOT6 |
6000 |
23+ |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美TSOP-6 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
10000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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FMBA14价格
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FMBA06中文资料Alldatasheet PDF
更多FMBA06功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FMBA06_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FMBA14功能描述:达林顿晶体管 NPN Multi-ChipTrans Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
FMBA14_Q功能描述:达林顿晶体管 NPN Multi-ChipTrans Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
FMBA56功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FMBA56_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
