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MTM10N12L	文件：260.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP10N12L	文件：272.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFM10N12	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
RFM10N12	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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