EXB851资料datasheet下载库存现货Fuji第2页-114ic电子网

首页 >EXB851>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
FZT851	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851QTA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851QTA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851TA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851TA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GI851	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI851	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI851	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
INA851	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA851	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

<<<123 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
EXB851
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
IGBT-Driving Hybrid ICs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	EXB851	FUJI	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市创新迹电子有限公司	EXB851	FUJI	23+	MODULE	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	EXB851	FUJI	23+	MODULE	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	EXBA10C103J10K-2512-10P	PANASONIC	24+		3824		询价
深圳市振宏微科技有限公司	EXBA10C104J	Panasonic	23+	1206X5	9868	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	EXB-A10E101J	PANASONIC(松下)	24+	SMD10P,3.1x6.4mm	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	EXB-A10E101J		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	EXBA10E102J	Panasonic	1922+	NA	35689	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市能元时代电子有限公司	EXBA10E102J	PAN	23+	5(1206)	16242	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市杰兴微电子有限公司	EXB-A10E102J	Panasonic	23+	SMD	556353	原装现货	询价

更多EXB851供应商更新时间2025-7-18 17:56:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号