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RFVS1918	文件：138.54 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
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RSVS1918	文件：244.4 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
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UPA1918	文件：71.41 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1918isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.0Vpowersource.Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •4.0Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1918TE	文件：455.06 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1918TE	文件：71.41 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1918isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.0Vpowersource.Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •4.0Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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更多ETA1918S供应商更新时间2025-7-19 16:39:00

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