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ESJA53-16	文件：266.33 Kbytes Page：1 Pages	High Voltage Silicon Diode ESJA SERIES	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
ESJA53-16A	文件：145.05 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Silicon Diode HighVoltageSiliconDiode	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
ESJA53-16A	文件：109.16 Kbytes Page：2 Pages	5mA Axial Leaded High Voltage Silicon Diode 5mAAxialLeadedHighVoltageSiliconDiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
ESJA53-16A	文件：209.802 Kbytes Page：1 Pages	TAIWAN SUNMATE SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
ESJA53-16A	文件：209.802 Kbytes Page：1 Pages	5MA 16KV High voltage diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
ESJA53-16_17	文件：648.5 Kbytes Page：2 Pages	5.0mA 16kV 80nS--HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
ESJA53-16A	文件：79.66 Kbytes Page：1 Pages	5mA 16kV HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER DIODES	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
ESJA53-16A_17	文件：648.12 Kbytes Page：2 Pages	5.0mA 16kV 80nS--HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
BC53-16PA	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■High-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC53-16PA	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC53-16PA	文件：419.04 Kbytes Page：7 Pages	PNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR Features •BVCEO>-80V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •520mWPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC53-16PA	文件：1.83457 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAS	文件：903.25 Kbytes Page：15 Pages	45V/60V/80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityIC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAS	文件：261.36 Kbytes Page：11 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •Twocurrentgainselections •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapabili	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAS-Q	文件：261.11 Kbytes Page：11 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D) leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityand visibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16	文件：1.31226 Mbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighCollectorCurrent LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BCP53-16	文件：1.83457 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16	文件：48.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP53-16	文件：498.68 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP53-16	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■High-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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深圳市壹芯创科技有限公司	ESJA53-16	FUJI	22+	DIP	23000	进口原装!现货库存	询价
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更多ESJA53-16供应商更新时间2024-5-28 10:16:00

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