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ESD8351MUT5G	文件：501.14 Kbytes Page：10 Pages	ESD Protection Diodes Low Capacitance ESD Protection Diode for High Speed Data Line TheESD8351SeriesESDprotectiondiodesaredesignedtoprotect highspeeddatalinesfromESD.Ultra−lowcapacitanceandlowESD clampingvoltagemakethisdeviceanidealsolutionforprotecting voltagesensitivehighspeeddatalines. Features •LowCapacitance(0.55pFMax,I/OtoGND)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD8351MUT5G	文件：292.08 Kbytes Page：10 Pages	ESD8118MUTAG	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD8351MUT5G	文件：286.97 Kbytes Page：9 Pages	ESD Protection Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD8351MUT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：0201（0603 公制）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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产品属性

产品编号：
ESD8351MUT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
5A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
0.37pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ESD8351MUT5G供应商更新时间2024-4-26 17:24:00

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