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ER10B1	文件：39.66 Kbytes Page：1 Pages	3 AMP ENCAPSULATED ASSEMBLIES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
10B1	文件：149.25 Kbytes Page：5 Pages	BIDIRECTIONALTRANSILTMARRAYFORDATALINEPROTECTION Description Transildiodearraysprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ■Highsurgecapabil	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
CHS-10B1	文件：432.78 Kbytes Page：15 Pages	SURFACEMOUNTTYPESLIDESWITCHES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CHS-10B1	文件：744.01 Kbytes Page：14 Pages	SLIDESWITCHES(HALFPITCH)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司
HZU10B1	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IH10B1H	文件：1.17395 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIof[EC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Sn	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司
IH10B1S	文件：1.17395 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIof[EC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Sn	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司
ITA10B1	文件：69.25 Kbytes Page：6 Pages	BIDIRECTIONALTRANSILARRAYFORDATALINEPROTECTION Description Transildiodearraysprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ■Highsurgecapabil	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
ITA10B1	文件：149.25 Kbytes Page：5 Pages	BIDIRECTIONALTRANSILTMARRAYFORDATALINEPROTECTION Description Transildiodearraysprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOStechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. Features ■Highsurgecapabil	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
ITA10B1	文件：88.22 Kbytes Page：7 Pages	BidirectionalTransil??arrayfordatalineprotection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJE10B1	文件：143.77 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Designedforuseindriverandoutputstagesincomplementaryaudioamplifierapplications. •HighDCCurrentGain- hFE=750(Win)@IC=30and40Adc •TrueThreeLeadMonolithicConstruction—Emitter-BaseResistors toPreventL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MSN10B1K	文件：571.37 Kbytes Page：6 Pages	100V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司
MTDA10B1	文件：114.01 Kbytes Page：1 Pages	HOUSINGWITHIDCCONTACT.100&.156CENTERLINE	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司
MTDB10B1	文件：114.01 Kbytes Page：1 Pages	HOUSINGWITHIDCCONTACT.100&.156CENTERLINE	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司
PZU10B1	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PZU10B1A	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
PZU10B1A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
SZ10B1	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
SZ10B1	文件：178.91 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSiliconZenerDiodes VZ:3.3-200Volts PD:1Watt Features ♦CompleteVoltageRange3.3to200Volts ♦Highpeakreversepowerdissipation ♦Highreliability ♦Lowleakagecurrent ♦Pb/RoHSFree	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
SZ10B1	文件：3.96189 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司

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详细参数

型号：
ER10B1
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
3 AMP ENCAPSULATED ASSEMBLIES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ER10B-TP	MCC/美微科	21+ROHS	HSMC	125800	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳诚思涵科技有限公司	ER10D	MCC	16+	HSMC	89000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	ER10D	MCC	20+	HSMC	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市维尔达电子有限公司	ER10D	MCC	2023+	HSMC	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市天成基业科技有限公司	ER10D	MCC	20+/21+	HSMC	9500	全新原装进口价格优势	询价
深圳市大联智电子有限公司	ER10D	MCC/美微科	22+	HSMC	354000		询价
深圳市广弘电子有限公司	ER10D	ER10D	2019+PB	HSMC	89000		询价
深圳市联成美业电子有限公司	ER10D	MCC/美微科	22+		89000		询价
深圳市赛美科科技有限公司	ER10D	MCC		HSMC	89000	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市芯为科技有限公司	ER10D	MCC	2023+	HSMC	18800	芯为科技只做原装	询价

更多ER10B1供应商更新时间2024-4-28 15:49:00

详细参数

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