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EMF30C02K	文件：259.38 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 20V ‐20V RDSON (MAX.) 30.5mΩ 100mΩ ID 5A ‐3.2A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：259.38 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMF30C02K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Complementary	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
UF30C02C	文件：688.99 Kbytes Page：2 Pages	Glass Passivated Ultra Fast Recovery Rectifier 文件：688.99 Kbytes 页数：2 Pages	YENYO 元耀科技	YENYO
30C02CH	文件：51.91 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 文件：51.91 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
30C02CH	文件：584.29 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single CPH3 Features • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ.=330mΩ[IC=0.7A, IB=35mA] • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products • Small ON-resistance (Ron) Applicat 文件：584.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
30C02CH-TL-E	文件：584.29 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single CPH3 Features • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ.=330mΩ[IC=0.7A, IB=35mA] • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products • Small ON-resistance (Ron) Applicat 文件：584.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Channel：
Complementary-N
BVDSS(V)：
20
VGS(±V)：
12
ID(A)：
5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
30.5
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
50
CissTyp.(pF)：
280

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更多EMF30C02K供应商更新时间2025-10-8 14:14:00

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