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EMB20P03P	文件：204.11 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)20mΩ ID‐8A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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EMB20P03VAT	文件：183.6 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)20mΩ ID‐8.7A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20P03VAT-L	文件：903.7 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS-30V RDSON(MAX.)20mΩ ID-8.7A SinglePChannelMOSFET Rg100%Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMZB20P03L	文件：183 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)24mΩ ID‐8A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree ESDProtection	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
ME20P03	文件：1.01498 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD20P03	文件：244.94 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL19AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.099OHM HDTMOSE-FETHighDensityPowerFETDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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