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12N03	文件：1.82632 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N03L	文件：1.01591 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N03L.	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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EMB12N03G	文件：191.82 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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EMB12N03HR	文件：218.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID9A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IPD12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPF12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPS12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPU12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPU12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PJ12N03D	文件：151.1 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
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SSG12N03	文件：1.85868 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
YJS12N03A	文件：642.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB12N03HL供应商更新时间2024-6-11 8:26:00

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