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IRF143	文件：211.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF143	文件：48.24 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF143	文件：103.6 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP143R	文件：69.39 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS143	文件：266.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS143	文件：344.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRMCF143	文件：539.62 Kbytes Page：35 Pages	HighPerformancePositionServoControlIC	IRF International Rectifier	IRF
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产品属性

产品编号：
ECS-P143-AN
制造商：
ECS Inc.
类别：
晶体，振荡器，谐振器 > 可编程振荡器
系列：
ECS-P143
包装：
管件
基本谐振器：
晶体
类型：
XO（标准）
可编程类型：
由 Digi-Key 编程（请在网站订购单中输入您需要的频率）
功能：
启用/禁用
输出：
HCMOS
电压 - 供电：
3.3V
频率稳定性（总体）：
±100ppm
工作温度：
-40°C ~ 85°C
电流 - 供电（最大值）：
28mA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-DIP，4 引线（全尺寸，金属罐）
大小 / 尺寸：
0.815" 长 x 0.508" 宽（20.70mm x 12.
描述：
XTAL OSC PROG XO HCMOS 3.3V

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