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ECH8654

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection diode in

文件:61.06 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

ECH8654

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??A, 38m廓, Dual ECH8

Features • Low ON-resistance • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection diode in

文件:313.13 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ECH8654

General-Purpose Switching Device Applications

文件:416.02 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

ECH8654-TL-H

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??A, 38m廓, Dual ECH8

Features • Low ON-resistance • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection diode in

文件:313.13 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ECH8654_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件:416.02 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

ECH8654-TL-HQ

Package:8-SMD,扁平引线;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

ONSEMI

安森美半导体

ECH8654-TL-HX

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:INTEGRATED CIRCUIT

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    ECH8654

  • 功能描述:

    MOSFET SWITCHING DEVICE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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